Hello ! Your IP address is: 38.107.191.117
  select Articles: search for article title, author, and keywords
         Switch to Chinese Version select Journals: search for journal title and publisher
Query [异质结双极晶体管]: Found 15 results!!
Note: Full-text Available [Tabular Display]   Itemized Display
SelectNo.TitleAuthorJournal TitleVolPub DatePage
1 用于HBT的AlGaAs/GaAs MOVPE材料 王向武;黄子乾;潘彬;李肖;张岚固體電子學研究與進展Vol.25 No.2 2005/05269-270
2 SiGe HBT大信号扩散电容模型研究 胡辉勇;张鹤鸣;戴显英;宣荣喜;李立;姜涛電子器件Vol.29 No.1 2006/0382-84
3 4GHz 300mW InGaP/GaAs HBT功率管研制 樊宇伟;申华军;葛霁;刘新宇;和致经;吴德馨電子器件Vol.29 No.1 2006/0312-14
4 HBT小信号等效电路参数解析提取 汪洁;孙玲玲;刘军固體電子學研究與進展Vol.25 No.2 2005/05207-210
5 InGaP/GaAs微波HBT器件与电路研究及应用进展 林玲;徐安怀;孙晓玮;齐鸣材料導報Vol.20 No.12 2006/125-7
6 按比例缩小SiGe HBT能量传输模型 李垚;刘嵘侃;傅湘宁;徐婉静中國科學技術大學學報Vol.35 No.5 2005/10595-600
7 SiGe HBT与Si BJT的60Coγ射线总剂量辐照效应比较 牛振红;郭旗;任迪远;刘刚;高嵩固體電子學研究與進展Vol.27 No.3 2007/08317-319
8 新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究 艾立鹍(Li-Kun Ai);徐安怀(An-Huai Xu);孙浩(Hao Sun);朱福英(Fu-Ying Zhu);齐鸣(Ming Qi)固體電子學研究與進展Vol.30 No.1 2010/0323-26+68
9 与HBT工艺兼容的新型负阻器件的研制与分析 齐海涛;郭维廉;张世林;梁惠来;毛陆虹固體電子學研究與進展Vol.25 No.2 2005/05202-206
10 采用新结构与新工艺降低SiGe HBT基区串联电阻 史辰;杨维明;刘素娟;徐晨;陈建新固體電子學研究與進展Vol.25 No.2 2005/05255-259
11 RTD與HBT單片集成研究 胡海蓉;牛萍娟;劉宏偉;郭維廉;許丹;于欣;王文新;尚勋忠;吳曙東固體電子學研究與進展Vol.25 No.4 2005/11456-459
12 普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT 齐海涛;郭维廉;张世林電子科技大學學報Vol.36 No.1 2007/02129-131
13 射频功率HBT热稳定性分析及镇流电阻优化 金冬月;张万荣;谢红云;沈珮;王扬北京工業大學學報Vol.34 No.2 2008/02141-144
14 SiGe異質結雙極晶體管基區渡越時間分析 蘇文勇;李蕊;邵彬北京理工大學學報Vol.25 No.6 2005/06522-525
15 一种砷化镓HBT高速预分频器的设计 瞿小峰(Xiao-Feng Qu);陆科杰(Ke-Jie Lu);栗成智(Cheng-Zhi Li);隋文泉(Wen-Quan Sui)固體電子學研究與進展Vol.30 No.1 2010/0359-63


  Select all       Clear
  View Selected items in:
 



Home  |  About airiti Inc. |  Copyright Policy |  Privacy Policy |  Contact Us |  Download Adobe Reader
© 2003-2010 by airiti Inc. All Rights Reserved.